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2020-03-17
ROHM SiC功率元件獲中國Tier1車電系統廠UAES採用於電動車充電器

有助EV充電系統高速化及小型化 大幅提昇供電效率

半導體製造商ROHM(總公司:日本國京都市)的SiC功率元件(SiC MOSFET*1)獲得中國車界Tier1供應商-聯合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd.,總部位於中國上海市,以下簡稱UAES公司)採用,將應用於電動車充電器(On Board Charger,以下簡稱OBC)上。UAES公司預計將於2020年10月起向汽車製造商供應該款OBC。


 
與IGBT*2等Si(矽)功率元件相比,SiC功率元件是一種能大幅降低損耗的半導體,因此在電動車以及基礎設施、環境/能源、工控裝置領域的應用日益廣泛。

ROHM於2010年率先開始量產SiC MOSFET,身為SiC功率元件的領導品牌,ROHM一直積極推動相關產品的研發。而在汽車領域,ROHM於2012年率先開始供應車電產品,並在電動車快速充電器領域擁有極高的市佔率,該產品也逐漸導入於電動車的馬達和逆變器中。

本次ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產品所採用,與傳統的OBC相比,全新OBC單元的效率提高了1%(效率高達95.7%,功率損耗比傳統降低約20%)。該解決方案也獲得了UAES頒發的2019年度最佳技術進步獎。

未來,身為SiC功率元件領導品牌的ROHM,將不斷擴大產品線,並結合可充分發揮元件性能的控制IC等週邊元件和模組化技術優勢,繼續提供有助下一代汽車技術革新的電源解決方案。

<關於聯合汽車電子有限公司(UAES)>
UAES公司是中聯汽車電子有限公司和德國羅伯特·博世有限公司在中國的合資企業,是車界Tier1供應商。自1995年成立以來,該公司在中國汽車市場的引擎控制單元和燃油車動力總成等領域中,已獲得極高的市佔率,2009年之後開始研發電動車主機逆變器等產品。
http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html

<採用SiC MOSFET的好處>
在大功率(高電壓 × 大電流)範圍中,與Si-IGBT相比,SiC MOSFET具有「切換損耗和傳導損耗*3小」、「耐溫度變化」等優點?;哆@些優點,當SiC MOSFET運用於電動車充電器和DC/DC轉換器等產品中時,可降低功率轉換時的損耗並實現散熱零件的小型化,高頻工作還可實現線圈小型化,有助於提高應用效率、減少零件數量並縮減安裝面積。

<ROHM SiC功率元件開發歷史>


 
<名詞解釋>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)
金屬-氧化物-半導體場效應電晶體,是FET中最常用的結構,用作於開關元件。
 
*2) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣閘雙極電晶體)
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極電晶體的低傳導損耗特性的功率電晶體。
 
*3) 傳導損耗、切換損耗
因元件結構的緣故,MOSFET和IGBT等電晶體在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流過元件時(ON狀態時),受元件的電阻影響而產生的損耗。切換損耗是切換元件的通電狀態時(開關動作時)產生的損耗。

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